E-Beam 實驗室提供兩種主要的設備,用於精密加工和檢測的先進技術,分別是電子束曝光機(E-Beam Lithography)和聚焦離子束(FIB, Focused Ion Beam)設備。

  1. 電子束曝光機 (E-Beam Lithography):利用高能量電子束來進行極高精度的圖案製作,本實驗室機台能達到的最小線寬為8nm。透過調控電子束的行進路徑和強度,EBeam 實驗室的電子束曝光機能夠在基板上精確雕刻複雜的微小圖案。

  2. 聚焦離子束機台 (FIB):FIB 可以用於精密切割和沉積材料,還能作為高分辨率的檢測工具。這種技術通過發射聚焦的離子束,能夠進行局部的表面修整、樣品截面分析、甚至對材料進行奈米級的修改。

設備簡介

台大電子束實驗室

Elionix ELS-7000

Acceleration voltage: 100 kV

Beam current: 1 pA ~ 2 nA

Minimum line width:    8 nm

台大電子束實驗室

FEI Nova600i

Beam Voltage: 200 ~ 30 kV SEM

2 kV ~ 30 kV FIB

Image Resolution: 1.1 nm at 15kV
2.5 nm at 1kV

1 nm at 30kV